如何准确测量三菱IGBT模块的好坏？

摘要： 三菱IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种广泛应用于电力电子领域的高效半导体开关器件，其测量方法对于确保设备正常运行和故障诊断至关重要，以下是对三菱IGBT测量的详细阐述：1、二极管...

三菱IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种广泛应用于电力电子领域的高效半导体开关器件，其测量方法对于确保设备正常运行和故障诊断至关重要，以下是对三菱IGBT测量的详细阐述：

1、二极管档测试

测量续流二极管正向压降：使用万用表的二极管档，可以测量续流二极管的正向压降VF，短接门极和发射极，用万用表红表笔接发射极，黑表笔接集电极，正常模块的VF应在0.3~0.7V左右，如果VF过大，说明FWD芯片或邦定线断开；过小则可能是FWD或IGBT芯片短路。

判断IGBT模块好坏：将数字万用表设置为二极管测试功能，测试IGBT模块c1、e1、c2、e2之间以及栅极g与e1、e2之间的正反向二极管特性来判断模块是否完好。

2、电阻档测试

测量集电极发射极之间的阻值：短接门极和发射极，万用表红表笔接集电极，黑表笔接发射极，正常模块电阻数值显示一般在兆欧级以上，分别测量模块内各个IGBT管相门极发射极（门极集电极）之间的阻值，正常模块同样显示高阻态，当模块上连接有驱动板时，门极发射极电阻值等于泄放电阻，一般为数千欧。

3、电容档测试

测量门极发射极之间的内部电容容值：万用表测量档位调至电容档，红表笔接门极，黑表笔接发射极，分别测量模块内IGBT的门极发射极之间的内部电容容值，记录测量数据，然后更换表笔，即黑表笔接门极，红表笔接发射极，记录测量所得数据，视模块不同容值从几nF到几十nF，将此数据与该万用表测量的模块内其它IGBT芯片或同产家、同型号模块的测量数据进行比较。

4、静态特性测试

伏安特性测试：在规定条件下（环境或管壳温度、集电极发射极电压、集电极电流），测量IGBT模块的栅极发射极门槛电压。

转移特性测试：在规定条件下（环境或管壳温度、集电极发射极电压），测量IGBT模块的栅极发射极漏电流。

5、动态特性测试

开通时间测试：在规定环境或管壳温度、集电极峰值电流ICM、栅极电阻R1等条件下，测量电阻负载时IGBT模块的开通时间。

关断时间测试：在规定的环境或管壳温度、负载电感L等条件下，测量感性负载时IGBT模块的关断时间。

6、热特性测试

结壳热阻测试：在规定条件下测量IGBT模块的结壳热阻Rthjc和结壳瞬态热抗阻Zthjc。

通过以上步骤，可以较为全面地评估三菱IGBT的性能状态，需要注意的是，这些方法只能作为初步判别手段，更准确的分析需要借助专门仪器，在进行任何测量之前，务必确保安全措施到位，避免静电损伤或其他意外情况发生。