如何检测单项可控硅的好坏？

摘要： 一、外观检查1、：查看可控硅表面是否有物理损坏，如裂纹、破碎、焊点松动等，若存在这些问题，可能会导致可控硅工作不良，2、判断依据：良好的可控硅外观应无明显缺陷和损坏迹象，二、电阻测...

一、外观检查

1、：查看可控硅表面是否有物理损坏，如裂纹、破碎、焊点松动等，若存在这些问题，可能会导致可控硅工作不良。

2、判断依据：良好的可控硅外观应无明显缺陷和损坏迹象。

二、电阻测量

1、万用表选择：将万用表置于电阻R×1Ω挡或R×10Ω挡。

2、测量步骤：

任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅），若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅，且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极，若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅，再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

对于单向可控硅，将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K，此时万用表指针应不动，用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右，然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好，若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。

对于双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异），然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小，若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏，也可按图2方法进一步测量，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明该器件已损坏。

三、电压测试

1、正向电压测试：用万用表直流电压档测量可控硅阳极与阴极之间的正向电压降，正常情况下，正向电压降应该在一定范围内，具体数值可参考可控硅的规格书，如果正向电压降过大，可能表示可控硅已经损坏或者性能下降。

2、反向电压测试：同样使用万用表直流电压档，测量可控硅阳极与阴极之间的反向电压降，正常情况下，反向电压降应该接近于零或者非常小，如果反向电压降明显增大，可能表示可控硅存在漏电现象或者已经击穿损坏。

3、控制极电压测试：测量可控硅控制极与阴极之间的电压降，当控制极施加正向电压时，这个电压降应该在一定的范围内；当控制极施加反向电压时，电压降应该很小或者接近于零，如果控制极电压异常，可能表示控制极与阴极之间的连接存在问题或者控制极已经损坏。

四、温度测试

1、加热测试：将可控硅加热，并测量其温度变化，高温可能导致可控硅内部结构的改变，影响其导电性能和稳定性，如果可控硅在高温下无法正常工作，可能是由于材料老化或者设计不合理导致的。

2、散热测试：观察可控硅在长时间高负载条件下的散热情况，如果散热不良，可控硅可能会过热甚至烧毁，需要确保可控硅的散热器设计合理并且能够有效地散发掉产生的热量。

五、动态特性测试

1、门极触发电压测试：通过测量可控硅的门极触发电压，可以判断其是否能够正常导通，当门极电压超过一定阈值时，可控硅应该能够迅速导通；如果门极电压过低，可控硅可能无法导通或者需要较长的时间才能导通。

2、维持电流测试：测量可控硅的维持电流，即在可控硅导通后，需要维持其导通状态所需的最小电流，如果维持电流过小，可控硅可能会因为负载变化而自动关闭；如果维持电流过大，可能会导致可控硅过热甚至损坏。

六、其他测试方法

1、电容测试：使用万用表的电容档位来检测可控硅的电容特性，正常的可控硅应该具有特定的电容值范围，过高或过低的电容值可能意味着可控硅存在质量问题或已经损坏。

2、频率响应测试：通过改变输入信号的频率，观察可控硅的输出响应，良好的可控硅应该能够在较宽的频率范围内稳定工作，而不出现明显的失真或延迟。

3、功率测试：在实际应用中，可以通过给可控硅加载一定的负载并测量其输出功率来进行测试，这可以直观地反映出可控硅在实际工作中的性能表现。

单项可控硅的好坏测量需要综合考虑多个方面，通过外观检查、电阻测量、电压测试、温度测试、动态特性测试以及其他相关测试方法的应用，可以全面评估单项可控硅的性能状态，这些测试方法不仅有助于发现潜在的问题和故障隐患，还能为可控硅的选型和应用提供重要参考依据。