如何准确测量NCE80H12传感器的参数？

摘要： NCE80H12是一款由新洁能公司生产的N沟道增强型MOSFET，具有高电流容量、低导通电阻和快速开关速度等特点，以下是对NCE80H12测量方法的详细解答：1、导通电阻（Rds(...

NCE80H12是一款由新洁能公司生产的N沟道增强型MOSFET，具有高电流容量、低导通电阻和快速开关速度等特点，以下是对NCE80H12测量方法的详细解答：

1、导通电阻（Rds(on)）：

使用数字万用表的二极管档位或专用的导通电阻测试仪，将万用表的正极连接到MOSFET的漏极（D），负极连接到源极（S）。

在栅极（G）施加一个大于阈值电压（Vth）的电压，通常为10V左右，以确保MOSFET完全导通。

读取万用表显示的电阻值，即为当前条件下的导通电阻Rds(on)。

2、阈值电压（Vth）：

使用可变电源或参数测试器作为电源，将MOSFET的漏极（D）连接到电源的正极，源极（S）连接到电源的负极。

缓慢增加栅极（G）与源极（S）之间的电压，同时监测漏极（D）与源极（S）之间的电流。

当电流开始显著增加时，此时的栅极电压即为阈值电压Vth。

3、漏极电流（Id）：

在MOSFET的栅极（G）施加一个固定的电压（如10V），以确保MOSFET处于导通状态。

使用可变负载或电子负载作为负载，将其连接到MOSFET的漏极（D）和源极（S）之间。

逐渐增加负载电流，同时监测MOSFET的温度和性能变化。

在不超过MOSFET最大额定电流（Id）的前提下，记录不同负载下的漏极电流值。

4、开关时间（ton和toff）：

使用示波器和信号发生器作为测试工具，将MOSFET的栅极（G）连接到信号发生器的输出端，以产生所需的脉冲信号。

将示波器的探头分别连接到MOSFET的栅极（G）、漏极（D）和源极（S），以便观察波形变化。

调整信号发生器的频率和脉冲宽度，以模拟实际应用场景中的工作条件。

使用示波器的测量功能，记录MOSFET从关断到导通（ton）以及从导通到关断（toff）所需的时间。

通过上述方法可以准确测量出NCE80H12的各项关键参数，从而评估其性能是否符合设计要求。