如何测量15n60c的参数？

摘要： 15N60C是一款常见的N沟道MOSFET，以下是测量其相关参数的方法：一、外观检查在进行任何测量之前，先对15N60C进行外观检查，查看是否有引脚弯曲、损坏、烧焦等明显的物理缺陷...

15N60C是一款常见的N沟道MOSFET，以下是测量其相关参数的方法：

一、外观检查

在进行任何测量之前，先对15N60C进行外观检查，查看是否有引脚弯曲、损坏、烧焦等明显的物理缺陷，如有，可能会影响其性能和测量结果，甚至无法正常使用。

二、极性判断

1、栅极（G）：通常可以通过查找数据手册来确定栅极的位置，或者使用万用表的二极管档来检测，将万用表的红表笔接到一个引脚上，黑表笔依次接到其他两个引脚上，如果两次测量都有读数且数值相近，那么红表笔所接的就是栅极。

2、漏极（D）和源极（S）：确定栅极后，剩下的两个引脚分别是漏极和源极，对于N沟道MOSFET，一般可以使用万用表的二极管档来进一步区分，将红表笔接到源极，黑表笔接到漏极，正常情况下应该有一定的电阻值且指针会有一定的偏转；反之，将红表笔接到漏极，黑表笔接到源极，电阻值应为无穷大或指针几乎不偏转。

三、基本参数测量

1、漏源电压（VDS）：这是MOSFET能够承受的最大漏源电压，由于这个电压通常较高，一般需要使用耐高压的测试设备，如晶体管图示仪等专业仪器来进行测量，在实际应用中，通常会根据电路的设计要求和工作条件来选择合适的MOSFET，确保其漏源电压满足需求，而不是直接对其进行测量。

2、阈值电压（Vth）：是指使MOSFET从截止区转向导通区所需的最小栅源电压，测量时，可以使用可调直流电源作为栅极电压源，将漏极和源极之间接入一个小电阻作为负载电阻，然后将栅极电压从低到高逐渐增加，同时监测漏极电流的变化，当漏极电流开始明显增大时，此时的栅极电压即为阈值电压，也可以使用专业的半导体参数测试仪来进行更准确的测量。

3、导通电阻（RDS(ON)）：是MOSFET在导通状态下，漏极和源极之间的电阻，测量时，先将MOSFET的栅极和源极短接，然后使用万用表的电阻档测量漏极和源极之间的电阻值，为了获得更准确的结果，可以在MOSFET的漏极和源极之间施加一定的电压，例如10V，然后再测量此时的电流，通过欧姆定律计算出导通电阻。

四、特性曲线测量

1、输出特性曲线：固定栅极电压，在不同的漏源电压下测量漏极电流，得到一组IDVDS曲线，一般从较低的栅极电压开始，逐渐增加栅极电压，每次增加一定幅度，分别测量不同漏源电压下的漏极电流。

2、转移特性曲线：固定漏源电压，在不同的栅极电压下测量漏极电流，得到一组IDVGS曲线，同样从较低的漏源电压开始，逐步增加漏源电压，然后在每个漏源电压下，改变栅极电压，测量对应的漏极电流。

通过以上步骤可以有效地测量15N60C的各项参数和特性曲线，从而评估其性能和适用性，这些测量方法不仅适用于15N60C，也适用于其他类似的MOSFET器件。