IGBT驱动软关断是如何实现的？

摘要： IGBT（绝缘栅双极晶体管）驱动的软关断是一个重要的保护机制，用于在短路或过流情况下安全地关闭IGBT，以防止高电压尖峰对其造成损害，以下是实现IGBT驱动软关断的几种方法：1、R...

IGBT（绝缘栅双极晶体管）驱动的软关断是一个重要的保护机制，用于在短路或过流情况下安全地关闭IGBT，以防止高电压尖峰对其造成损害，以下是实现IGBT驱动软关断的几种方法：

1、RC电路放电法：通过一个RC电路对IGBT门极放电来实现软关断，当检测到短路后，立即用0V驱动电压执行软关断动作，使IGBT的门极电压缓慢下降，从而降低IGBT的关断速度，这种方法的缺点是不同应用条件下需对RC参数做调整，比较复杂；而且RC放电在开始时刻门极电压下降最快、dV/dt最大，对应的关断尖峰电压也最大；随后门极电压下降速度变慢，会造成总的关断时间变长；为了减小关断尖峰电压，就必须选择较大的RC时间常数，而这就会导致更长的关断时间；增加PCB面积和BOM成本。

2、集成软关断技术：一些驱动芯片将软关断技术集成于芯片内部，例如青铜剑技术自主研发的驱动芯片，在IGBT发生短路后，让IGBT门极电压跟随内部基准VREF电压下降，使得软关断时间与开通电阻、关断电阻和IGBT型号几乎无关，同时在不同的应用场合都可以可靠保护软关断。

3、有源钳位技术：在IGBT的集电极和栅极之间串联一定数量的瞬态电压抑制二极管（TVS），当电压超过TVS的钳位电压时，会向门极注入一定的电流，如果这个时候IGBT正在关断，那注入的电流会使IGBT关断速度变缓，di/dt会减小，从而集电极电压也会减小。

IGBT驱动软关断的实现需要综合考虑多种因素，选择合适的软关断策略和电路设计，以保障IGBT在各种工况下的安全运行和设备的可靠性。