TGL40N120FD 该如何进行测量？

豆面 2025-02-04 14:07:28 58

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摘要： TGL40N120FD 是一种常用的 IGBT 单管，以下是测量它的主要参数及方法：参数测量方法集电极 - 发射极电压 \(V_{CE}\) 使用万用表的二极管档，将万用表的红...

TGL40N120FD 是一种常用的 IGBT 单管，以下是测量它的主要参数及方法：

参数	测量方法
集电极发射极电压 \(V_{CE}\)	使用万用表的二极管档，将万用表的红表笔接集电极（C），黑表笔接发射极（E），正常情况下，对于正常的 IGBT 单管，应该有一定的压降显示，通常在 0.30.7V 左右，如果显示为无穷大或接近无穷大，可能表明 IGBT 单管损坏。
栅极发射极电压 \(V_{GE}\)	同样使用万用表的二极管档，红表笔接栅极（G），黑表笔接发射极（E），正常情况下，也应该有较小的压降显示，一般在 0.30.7V 左右，如果电压异常，可能是栅极或发射极存在问题。
饱和压降 \(V_{CE(sat)}\)	给 IGBT 单管加上适当的驱动信号，使其导通，然后在集电极和发射极之间施加一定的电流（通常为额定电流的一定比例，如 1/10 或 1/5），测量此时的 \(V_{CE}\) 电压，即为饱和压降，饱和压降越小越好，对于 TGL40N120FD，其典型的饱和压降应在一定范围内，具体数值可参考产品手册。
漏电流 \(I_{CES}\)	在室温下，将 IGBT 单管的集电极和发射极之间的电压设置为规定的测试电压（如 600V 等），然后测量流过集电极和发射极之间的漏电流，漏电流应小于产品手册中规定的值，否则说明 IGBT 单管的绝缘性能可能存在问题。