如何检测 nce80h12 的好坏？

摘要： NCE80H12是一款由新洁能(NCE)公司生产的N沟道增强型MOSFET，采用TO-220封装，以下是一些测量其好坏的方法：一、电阻测量法1、测量原理：使用万用表的二极管档来测量...

NCE80H12是一款由新洁能(NCE)公司生产的N沟道增强型MOSFET，采用TO220封装，以下是一些测量其好坏的方法：

一、电阻测量法

1、测量原理：使用万用表的二极管档来测量MOS管三个引脚之间的正反向电阻值，通过与正常数值范围对比来判断其好坏。

2、具体操作

栅极G与源极S之间：正常情况下，正向电阻值应该在数kΩ至数十kΩ之间，反向电阻值应该接近无穷大，如果测量结果偏离这个范围，可能表明MOS管已经损坏。

栅极G与漏极D之间：同源极与栅极之间的测量方法，正向电阻值应在数kΩ至数十kΩ之间，反向电阻值应接近无穷大，若测量结果异常，说明MOS管可能存在问题。

漏极D与源极S之间：对于NCE80H12这样的N沟道MOS管，在未导通时，漏极与源极之间的电阻值应该非常大，通常接近或超过仪表的量程（如几十MΩ以上），如果测量得到的电阻值较小，说明MOS管的DS极之间存在漏电现象，可能已被击穿损坏。

二、电压测量法

1、测量原理：给MOS管的栅极施加一定的电压，然后测量漏极与源极之间的电压降，以此来判断MOS管是否能够正常导通和截止。

2、具体操作

搭建测试电路：将NCE80H12按照正确的引脚连接到测试电路中，一般需要连接电源、负载电阻等元件，确保电路连接正确且无短路等问题后，再进行下一步操作。

测量导通状态：在栅极施加一个大于阈值电压（一般为几V到十几V不等，具体可参考数据手册）的电压，使MOS管导通，用万用表的电压档测量漏极与源极之间的电压降，对于良好的NCE80H12，当导通时，漏源电压应该非常小，接近于零伏，如果测量得到的电压降较大，超出了正常范围，说明MOS管的导通性能不良，可能存在故障。

测量截止状态：将栅极电压设置为0V或低于阈值电压，使MOS管截止，再次测量漏极与源极之间的电压，此时电压应该接近于电源电压，如果测量结果异常，如电压过低或有泄漏电流等情况，表明MOS管的截止性能不好，可能已损坏。

三、在线检查判断法

1、测量原理：在实际电路中，通过测量MOS管各极的工作电压和工作电流，与正常工作状态下的参数进行对比，来判断其是否工作正常。

2、具体操作

工作电压测量：使用示波器或万用表等工具，测量NCE80H12在实际电路中的栅极、漏极和源极的工作电压，将测量得到的电压值与电路设计要求的正常电压值进行比较，如果栅极电压异常偏高或偏低，可能导致MOS管无法正常导通或截止；漏极电压过高可能表示负载过重或MOS管耐压不足等问题。

工作电流测量：在安全的情况下，可以通过串联电流表等方式测量MOS管的工作电流，将实际工作电流与电路设计的预期电流值进行对比，如果工作电流过大，可能是由于电路存在短路、过载等问题，也可能是MOS管本身性能不良导致功耗过大；如果工作电流过小，可能是电路连接不良、信号传输不畅等原因造成的。

四、代换法验证

1、测量原理：如果对NCE80H12的好坏存在怀疑，但上述测量方法均未发现明显问题或不确定其是否真正损坏时，可以采用代换法进行验证。

2、具体操作：用一个已知性能良好的同型号或相同参数的MOS管替换待检测的NCE80H12，然后重新接入原电路中，如果电路恢复正常工作，则说明原NCE80H12可能存在问题；如果故障依旧存在，则需要进一步检查电路的其他部分是否存在故障。

要准确判断NCE80H12的好坏，需要综合运用多种测量方法和工具，并结合电路的实际情况进行分析和判断，在进行任何测量之前，务必确保电路已断电，并采取必要的安全措施，以避免触电等危险情况的发生。