
NCE80H16有哪些可替代的品牌?
品牌 | 型号 | RDS(ON)(典型值)@VGS=10V | 漏源电压(VDS) | 栅源电压(VGS) | 漏电流(ID) | 封装 | 耗散功率(PD) | 输入电容(PFLO92) | 输出电容(COUT) | 上升时间(ns) |
KIA | KIA2808A | 4.0毫欧姆 | 80V | ±25V | 150A | TO220 | 178W | 6109PF | 995PF | 18ns |
IR | IRFP250N | 47毫欧姆 | 200V | ±25V | 30A | TO220 | ||||
STMicroelectronics | STP75NF75 | 75V | TO220 | |||||||
Vishay/Siliconix | SiH44N | 40V | TO220 | |||||||
ON Semiconductor | NTD5958NL | 55V | TO220 | |||||||
Infineon Technologies | IPP60R3K1CEA | 60V | TO220 |
相关说明
1、KIA2808A:这款MOS管在多个参数上与NCE80H16非常接近,特别是其RDS(ON)和漏源电压,使其成为直接替代的首选,KIA半导体在研发、生产和销售方面都有较强的实力,产品质量有保障。

2、IRFP250N:虽然其漏源电压高于NCE80H16,但其RDS(ON)在典型值下略高,但仍然是一个可考虑的替代选项,尤其是在需要更高漏源电压的应用中。
3、STP75NF75:这款MOS管的漏源电压也高于NCE80H16,但其封装形式相同,且在某些特定应用中可能具有优势。
4、SiH44N:其漏源电压较低,但在一些低电压应用中可能是一个合适的替代选择。
5、NTD5958NL:同样是一款TO220封装的MOS管,其参数与NCE80H16相近,可以考虑作为替代。
6、IPP60R3K1CEA:这款MOS管的漏源电压和封装形式都与NCE80H16相近,也是一个潜在的替代选项。
在选择替代品牌时,除了考虑上述参数外,还需要注意以下几点:
供应商信誉:选择有良好信誉和稳定供应链的供应商,以确保产品的质量和供货的稳定性。
价格因素:不同品牌的MOS管价格可能存在差异,需要根据具体需求和预算进行权衡。

技术支持:一些供应商可能提供更全面的技术支持和服务,这对于解决使用过程中的问题非常重要。
列出的品牌和型号都可以在不同程度上替代NCE80H16,但具体选择哪个品牌需要根据实际应用需求、预算以及供应商的支持情况来决定。
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作者:豆面本文地址:https://www.jerry.net.cn/jerry/2458.html发布于 2024-12-16 06:36:47
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